3.4 杂质半导体的载流子浓度
3.5 一般情况下的载流子统计分布
3.6 简并半导体
4、 半导体的导电性
4.1 载流子的漂移运动 迁移率
4.2 载流子的散射
4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系
4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系
4.5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论
4.6 强电场下的效应 热载流子
5、 非平衡载流子
5.1 非平衡载流子的注入和复合
5.2 非平衡载流子的寿命
5.3 准费米能级
5.4 复合理论
5.5 陷阱效应
5.6 载流子的扩散运动
5.7 载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式
5.8 连续性方程
6、 p-n结
6.1 p-n结及其能带图
6.2 p-n结电流电压特性
6.3 p-n结电容
6.4 p-n结击穿
7、金属和半导体接触
7.1 金属半导体接触及其能级图
7.2 肖特基势垒二极管
8、半导体表面与MIS结构
8.1 表面电场效应
8.2 理想MIS结构的电容-电压特性
原标题:2022年硕士研究生招生专业课参考教材及考试大纲(预告)
文章来源:http://yzb.njupt.edu.cn/2021/0815/c11185a201534/page.htm
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